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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Oxide-based RRAM: Physical based retention projection 其他 2010-01-01 Gao, B.; Kang, J.F.; Zhang, H.W.; Sun, B.; Chen, B.; Liu, L.F.; Liu, X.Y.; Han, R.Q.; Wang, Y.Y.; Yu, B.; Fang, Z.; Yu, H.Y.; Kwong, D.-L. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Identification and application of current compliance failure phenomenon in RRAM device 其他 2010-01-01 Gao, B.; Chang, W.Y.; Sun, B.; Zhang, H.W.; Liu, L.F.; Liu, X.Y.; Han, R.Q.; Wu, T.B.; Kang, J.F. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 A compact model of resistive switching devices 其他 2010-01-01 Chen, B.; Jun, Q.Y.; Gao, B.; Zhang, F.F.; Wei, K.L.; Chen, Y.S.; Liu, L.F.; Liu, X.Y.; Kang, J.F.; Han, R.Q. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Oxide-based RRAM: Uniformity improvement using a new material-oriented methodology 其他 2009-01-01 Gao, B.; Zhang, H.W.; Yu, S.; Sun, B.; Liu, L.F.; Liu, X.Y.; Wang, Y.; Han, R.Q.; Kang, J.F.; Yu, B.; Wang, Y.Y. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Reversible resistive switching of Gd-doped TiO2 thin films for nonvolatile memory applications 其他 2007-01-01 Liu, L.F.; Tang, H.; Wang, Y.; Wang, W.; Tian, D.Y.; Liu, X.Y.; Zhang, X.; Han, R.Q.; Kang, J.F. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10