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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 器件结构参数及工艺对ESD的影响 会议论文 2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会, 温州, 2005年10月01日 作者:  刘远 [1];  恩云飞 [2];  罗宏伟 [2];  师谦 [2];  李斌 [3] 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/18 电子器件 器件结构  抗静电   MOS器件的X射线辐照效应 会议论文 中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会, 重庆, 2004年10月1日 作者:  刘远 [1];  李若瑜 [1];  李斌 [1];  恩云飞 [2];  罗宏伟 [2] 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/18 MOS器件  X射线  辐照效应  阈值电压 漂移幅度  场效应器件  可靠性   MOS器件电离辐射总剂量退化的温度效应 会议论文 第十二届全国可靠性物理学术讨论会, 四川都江堰, 2007年10月01日 作者:  尹雪梅 [1];  恩云飞 [2];  师谦 [2];  李斌 [3] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/17 MOS器件  电离辐射 辐射效应  总剂量退化  温度效应   PZT铁电薄膜存储器件的疲劳机理与对策 会议论文 第十二届全国可靠性物理学术讨论会, 四川都江堰, 2007年10月01日 作者:  陆裕东 [1];  何小琦 [2];  恩云飞 [2];  王歆 [3];  庄志强 [3] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/17 PZT 铁电薄膜器件  疲劳机理  铁电性能  存储器件  极化强度