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| 一种高度取向ZnO纳米锥阵列结构材料的制备方法 专利
申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2015-09-09
作者: 余新泉; 夏咏梅; 吴春晓; 章雯; 张友法
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| 一种高度取向ZnO纳米锥阵列结构材料的制备方法 专利
申请日期: 2014-01-22, 公开日期: 2014-01-22
作者: 余新泉; 夏咏梅; 吴春晓; 章雯; 张友法
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| 判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法 专利
专利号: 200710171904.0, 申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1陆卫; 2夏长生; 3李志锋; 4张波; 5甄红楼
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| 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法 专利
专利号: 200510111361.4, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者: 1陆卫2夏长生3李志锋4张波 5李宁6陈效双7陈明法
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| 氮化镓基圆盘式单色光源列阵 专利
专利号: CN100401544C, 申请日期: 2008-07-09, 公开日期: 2008-07-09
作者: 陆卫; 王少伟; 夏长生; 李志锋; 张波
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| 氮化镓基发光二极管指示笔 专利
专利号: 200510110631.X, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者: 1陆卫2王少伟3夏长生4李宁5李志锋6张波7陈平平8陈效双9陈明法
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| 氮化镓基圆盘式单色光源列阵 专利
专利号: 200610028490.1, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者: 1陆卫2王少伟3夏长生4李志锋5张波; 6李宁; 7陈效双; 8陈明法
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| 氮化镓基光子晶体激光二极管 专利
专利号: CN100355160C, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2007-12-12
作者: 陆卫; 王少伟; 夏长生; 李宁 ; 李志锋
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| 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底 专利
专利号: CN1298020C, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2007-01-31
作者: 陆卫; 夏长生; 李志锋; 李宁; 张波
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| 氮化镓基高单色性光源阵列 专利
专利号: 200510029388.9, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2011-09-07
作者: 1陆卫2王少伟3夏长生4李宁5李志锋6张波7陈平平8陈效双9陈明法
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