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	一种高度取向ZnO纳米锥阵列结构材料的制备方法
	余新泉; 夏咏梅; 吴春晓; 章雯; 张友法; 陈锋
	2014-01-22
著作权人	东南大学
国家	中国
文献子类	发明申请
英文摘要	本发明公开了一种高度取向的ZnO纳米锥阵列的湿化学生长方法，采用旋涂镀膜法将ZnO溶胶涂敷在基底上，经热处理制备一层均匀的纳米级ZnO晶种层；用KOH和Zn(NO3)2配制ZnO阵列生长液；将基底生长面（即含有晶种层的面）悬空倒扣浸没于上述生长液中，在20～50℃水浴条件下，反应1～12h，在所述的基底上制备ZnO纳米锥阵列。该方法具有设备及工艺简单、易操作、成本低和适合工业化生产等优点。本发明制备出的ZnO纳米锥阵列具有高度致密、粗细均匀、取向性好、平整度高、性能稳定、与基底结合牢固等特点，在超疏水表面、探测器、压电变频器、紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。
公开日期	2014-01-22
申请日期	2013-10-31
内容类型	专利
源URL	[http://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/109635]
专题	兰州理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	余新泉,夏咏梅,吴春晓,等. 一种高度取向ZnO纳米锥阵列结构材料的制备方法. 2014-01-22.

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