一种用于氮化镓外延生长的复合衬底 | |
陆卫; 夏长生; 李志锋; 李宁![]() | |
2007-01-31 | |
著作权人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
专利号 | CN1298020C |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底 |
英文摘要 | 本发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底,该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形,边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定,厚度为2~100nm,单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单,成本低廉,便于大规模生产,可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层,可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。 |
公开日期 | 2007-01-31 |
申请日期 | 2004-12-13 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42716] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆卫,夏长生,李志锋,等. 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底. CN1298020C. 2007-01-31. |
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