一种用于氮化镓外延生长的复合衬底

	一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
	陆卫; 夏长生; 李志锋; 李宁; 张波; 王少伟; 陈平平; 陈效双; 陈明法
	2007-01-31
著作权人	中国科学院上海技术物理研究所
专利号	CN1298020C
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
英文摘要	本发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底，该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形，边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定，厚度为2～100nm，单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单，成本低廉，便于大规模生产，可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层，可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
公开日期	2007-01-31
申请日期	2004-12-13
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42716]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陆卫,夏长生,李志锋,等. 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底. CN1298020C. 2007-01-31.