|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 一种碲镉汞器件埋结工艺 专利
专利号: 201610236474.5, 申请日期: 2016-04-15, 公开日期: 2017-06-27
作者: 1 张姗 2胡晓宁 3 樊华 4廖清君 5叶振华 6林春 7丁瑞军 8何力
  收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2017/12/12 |
| 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法 专利
专利号: 200910198967.4, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1 叶振华 2 尹文婷3 马伟平4 黄建 5林春 6 胡晓宁 7 丁瑞军8 何力
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2011/07/07 |
| 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法 专利
专利号: 200910198960.2, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者: 1 叶振华 2黄建3 祝海彬4 尹文婷5林春 6 胡晓宁 7 丁瑞军 8 何力
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2011/12/15 |
| 一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器 专利
专利号: 201010182364.8, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者: 1 叶振华 2 陆伟 3黄建 4邢雯5 刘丹 6 冯靖文7林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2011/12/15 |
| 一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法 专利
专利号: 201010182280.4, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者: 1 叶振华 2黄建 3 胡伟达 4 尹文婷 5 马伟平 6 陈昱7林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2011/12/15 |
| 一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片 专利
专利号: 201010234867.5, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者: 1 叶振华 2胡伟达 3殷建军 4吴廷琪5 晨昱 6邢雯 7 林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2011/12/15 |
| 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法 专利
专利号: 201010182276.8, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者: 1 叶振华 2 尹文婷 3 王建新 4方维政5 杨建荣 6 陈昱7 林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2011/12/15 |
| 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法 专利
专利号: 200910198969.3, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1 叶振华 2 黄建 3 胡伟达 4 尹文婷5 林春 6 陈路 7 廖清君8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2011/07/07 |
| 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法 专利
专利号: 200910198962.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1 叶振华 2尹文婷3胡伟达4 黄建5 马伟平 6 林春 7 廖清君 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2011/07/07 |
| 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法 专利
专利号: 200910198961.7, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者: 1 叶振华 2 黄建 3杨建荣4 尹文婷5 邢雯 6 林春 7 陈兴国 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2011/12/15 |
