一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片 | |
1 叶振华 2胡伟达 3殷建军 4吴廷琪5 晨昱 6邢雯 7 林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力 | |
2011 | |
著作权人 | 上海技术物理研究所 |
专利号 | 201010234867.5 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
公开日期 | 2011-12-15 |
申请日期 | 2010 |
语种 | 中文 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3645] ![]() |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 叶振华 2胡伟达 3殷建军 4吴廷琪5 晨昱 6邢雯 7 林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力. 一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片. 201010234867.5. 2011-01-01. |
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