碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法 | |
1 叶振华 2 黄建 3杨建荣4 尹文婷5 邢雯 6 林春 7 陈兴国 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力 | |
2011 | |
著作权人 | 上海技术物理研究所 |
专利号 | 200910198961.7 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
公开日期 | 2011-12-15 |
申请日期 | 2009 |
语种 | 中文 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3607] ![]() |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 叶振华 2 黄建 3杨建荣4 尹文婷5 邢雯 6 林春 7 陈兴国 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力. 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法. 200910198961.7. 2011-01-01. |
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