离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法 | |
1 叶振华 2黄建3 祝海彬4 尹文婷5林春 6 胡晓宁 7 丁瑞军 8 何力 | |
2011 | |
著作权人 | 上海技术物理研究所 |
专利号 | 200910198960.2 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
公开日期 | 2011-12-15 |
申请日期 | 2009 |
语种 | 中文 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3605] |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 叶振华 2黄建3 祝海彬4 尹文婷5林春 6 胡晓宁 7 丁瑞军 8 何力. 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法. 200910198960.2. 2011-01-01. |
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