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| 后栅工艺中假栅的制造方法 专利
专利号: CN201110433706.3, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2013-06-26
作者: 卢一泓 ; 杨涛; 赵超; 李俊峰; 赵玉印
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| 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201310580966.2, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 汤益丹; 刘新宇; 许恒宇; 蒋浩杰; 赵玉印
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| 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法 专利
专利号: CN201310570937.8, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2014-02-05
作者: 白云; 刘新宇; 汤益丹; 许恒宇; 蒋浩杰
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| 一种宽禁带功率器件场板的制造方法 专利
专利号: CN201310567092.7, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-26
作者: 杨谦; 刘新宇; 许恒宇; 汤益丹; 蒋浩杰
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| 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 专利
专利号: CN201310559750.8, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-12
作者: 白云; 刘新宇; 许恒宇; 汤益丹; 蒋浩杰
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| 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法 专利
专利号: CN200410047532.7, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2005-11-23
作者: 钱鹤; 徐秋霞; 刘明; 赵玉印
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| 厚铝的高精度干法刻蚀方法 专利
专利号: CN1778993, 申请日期: 2004-11-19, 公开日期: 2006-05-31, 2010-11-26
作者: 杨荣; 李俊峰; 柴淑敏; 赵玉印; 蒋浩杰
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| 15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法 专利
专利号: CN1700426, 申请日期: 2004-05-21, 公开日期: 2005-11-23, 2010-11-26
作者: 钱鹤; 徐秋霞; 赵玉印
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| 70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法 专利
专利号: CN1360088, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26
作者: 钱鹤; 赵玉印; 徐秋霞; 于雄飞
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| 用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法 专利
专利号: CN200410035088.7, 公开日期: 2005-11-02
作者: 韩郑生; 杨荣; 李俊峰; 海潮和; 徐秋霞
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