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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Unusual carrier thermalization in a dilute GaAs1-xNx alloy 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.061905 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/29 PHOTOLUMINESCENCE   Optical properties of the E-0+Delta(0) energy level higher than the bandgap of GaAs studied by micro-photoluminescence technique 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4213-4217 Bao ZH (Bao Zhi-Hua); Jing WP (Jing Wei-Ping); Luo XD (Luo Xiang-Dong); Tan PH (Tan Ping-Heng) 收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2010/03/29 semi-insulated GaAs   Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 20, 页码: art.no.205205 Tan PH (Tan P. H.); Luo XD (Luo X. D.); Xu ZY (Xu Z. Y.); Zhang Y (Zhang Y.); Mascarenhas A (Mascarenhas A.); Xin HP (Xin H. P.); Tu CW (Tu C. W.); Ge WK (Ge W. K.) 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/04/11 HOT PHOTOLUMINESCENCE  GALLIUM-ARSENIDE  GAAS  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SCATTERING   Optical properties and exciton localization in GaNas/GaAs 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 185-188 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：105/48  |  提交时间：2010/03/17 GaNAs   Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：144/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  NITROGEN  LUMINESCENCE  PRESSURE  STATES  ENERGY   Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs 会议论文 symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GAAS1-XNX  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION