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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2015 [1]
2013 [3]
2012 [2]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Effect of the thickness of InGaN interlayer on the a-plane GaN epilayer
期刊论文
chinese physics b, 2015, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 26802-26806
Jian-Xia Wang
;
Lian-Shan Wang
;
Qian Zhang
;
Xiang-Yue Meng
;
Shao-Yan Yang
;
Gui-Juan Zhao
;
Hui-Jie Li
;
Hong-Yuan Wei
;
Zhan-Guo Wang
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提交时间:2016/03/29
Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in AlxGaN-GaN quantum wells
期刊论文
chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 7305
Wang Jian-Xia, Yang Shao-Yan, Wang Jun, Liu Gui-Peng, Li Zhi-Wei, Li Hui-Jie, Jin Dong-Dong, Liu Xiang-Lin, Zhu Qin-Sheng, Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/03/18
Electron mobility in the linear region of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor
期刊论文
chin. phys. b, 2013, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 067203
Yu Ying-Xia, Lin Zhao-Jun, Luan Chong-Biao, Wang Yu-Tang, Chen Hong, Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2014/03/18
Electron scattering in GaAs-InGaAs quantum wells subjected to an in-plane magnetic field
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 21, 页码: 213711-213711-4
Jin, Dong-Dong
;
Yang, Shao-Yan
;
Zhang, Liu-Wan
;
Li, Hui-jie
;
Zhang, Heng
;
Wang, Jian-xia
;
Yang, Tao
;
Xiang-LinLiu
;
Zhu, Qin-Sheng
;
Wang, Zhan-Guo
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/03/17
A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 097104
Lu YJ (Lu Yuan-Jie)
;
Lin ZJ (Lin Zhao-Jun)
;
Yu YX (Yu Ying-Xia)
;
Meng LG (Meng Ling-Guo)
;
Cao ZF (Cao Zhi-Fang)
;
Luan CB (Luan Chong-Biao)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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提交时间:2013/04/02
A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 16741056
Lü, Yuan-Jie
;
Lin, Zhao-Jun
;
Yu, Ying-Xia
;
Meng, Ling-Guo
;
Cao, Zhi-Fang
;
Luan, Chong-Biao
;
Wang, Zhan-Guo
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提交时间:2013/05/07
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