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半导体研究所 [17]
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期刊论文 [17]
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2001 [1]
2000 [2]
1999 [1]
1998 [2]
1997 [2]
1996 [1]
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学科主题
半导体材料 [17]
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学科主题:半导体材料
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MOVPE生长Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N的准热力学模型(英文)
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 677
陆大成
;
段树坤
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 105
陆大成
;
段树坤
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/23
Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 729
陆大成
;
段树坤
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
Quasi-Thermodynamic Model for MOVPE of AlGaN
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1026
陆大成
;
段树坤
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究
期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 865
李国华
;
韩和相
;
丁琨
;
汪兆平
;
段树坤
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析
期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 736
作者:
韩培德
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE
期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 787
作者:
Wang YT(王玉田)
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图
期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 385
段树坤
;
陆大成
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
ZnSe的MOVPE生长相图以DMZn和H2Se为源
期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 401
段树坤
;
陆大成
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/11/23
MOCVD生长的II-VI族化合物固溶体组分的热力学分析.2.Hg(1-x)CdxTe体系
期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 413
陆大成
;
段树坤
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
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