MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文）

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	MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文）
	陆大成 ; 段树坤
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:6 页码:677
中文摘要	提出一个以TMGa、TMAl、TMIn和NH_3为源，用MOVPE方法生长Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N四元合金的推热力学模型。该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的，其特点是考虑了NH_3的分解效率，并用N、H、Ga、Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程。计算了各种生长条件对于与GaN晶格匹配的Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响。计算表明，几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N四元合金中，而In则富集在气相。为增强铟的并入，应采用低的生长温度，高的Ⅴ/Ⅲ比，氮载气而且须要设法降低到达生长界面前氨的分解。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家973计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18685]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陆大成,段树坤. MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(6):677.
APA	陆大成,&段树坤.(2001).MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文）.半导体学报,22(6),677.
MLA	陆大成,et al."MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文）".半导体学报 22.6(2001):677.