Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE

	Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE
	Wang YT(王玉田)
刊名	半导体学报
	1997
卷号	18 期号:10 页码:787
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:58导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:12:58z (gmt). no. of bitstreams: 1 5837.pdf: 172781 bytes, checksum: 7cb16514c245d166d231afc5bed91b59 (md5) previous issue date: 1997; 中科院半导体所;中科院安徽光学精密机械所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	英语
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19497]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang YT. Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE[J]. 半导体学报,1997,18(10):787.
APA	王玉田.(1997).Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE.半导体学报,18(10),787.
MLA	王玉田."Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE".半导体学报 18.10(1997):787.