Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN | |
Lu DC(陆大成) ; Duan SK(段树坤) | |
刊名 | 半导体学报
![]() |
2000 | |
卷号 | 21期号:8页码:729 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金 |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18775] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Lu DC,Duan SK. Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN[J]. 半导体学报,2000,21(8):729. |
APA | 陆大成,&段树坤.(2000).Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN.半导体学报,21(8),729. |
MLA | 陆大成,et al."Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN".半导体学报 21.8(2000):729. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论