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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516 Sun, Q; Wang, JT; Wang, H; Jin, RQ; Jiang, DS; Zhu, JJ; Zhao, DG; Yang, H; Zhou, SQ; Wu, MF; Smeets, D; Vantomme, A 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2010/03/08 STRESS  SI(111)  REDUCTION  THICKNESS   Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101 Sun, Q (Sun, Q.); Wang, H (Wang, H.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Jin, RQ (Jin, R. Q.); Huang, Y (Huang, Y.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Yang, H (Yang, H.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, KH (Ploog, K. H.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 LIGHT-EMITTING-DIODES   Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 7, 页码: art.no.071908 作者:  Jiang DS;  Zhang JC;  Yang H;  Zhang JC;  Zhang JC 收藏  |  浏览/下载：65/14  |  提交时间：2010/03/17 X-RAY-DIFFRACTION   Lateral phase separation in AlGaN grown on GaN with a high-temperature AIN interlayer 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: art.no.121914 作者:  Yang H;  Yang H;  Wang H;  Jiang DS;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：109/19  |  提交时间：2010/03/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Depth dependent elastic strain in ZnO epilayer: combined Rutherford backscattering/channeling and X-ray diffraction 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2005, 卷号: 229, 期号: 2, 页码: 246-252 Feng ZX; Yao SD; Hou L; Jin RQ 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/17 rutherford backscattering/channeling   Effect of the N/Al ratio of AlN buffer on the crystal properties and stress state of GaN film grown on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 331-335 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：208/73  |  提交时间：2010/03/09 full-width at half-maximum   Indium mole fraction effect on the structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 15, 页码: 2060-2063 Liu, JP; Jin, RQ; Zhang, JC; Wang, JF; Wu, M; Zhu, JJ; Zhao, DG; Wang, YT; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：69/23  |  提交时间：2010/03/09 LIGHT-EMITTING-DIODES   Effects of TMIn flow on the interface and optical properties of InGaN/GaN mutiple quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 53-57 Liu JP; Jin RQ; Zhu JJ; Zhang JC; Wang JF; Wu M; Chen J; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：289/70  |  提交时间：2010/03/09 high-resolution X-ray diffraction   Growth of crack-free AlGaN film on thin AlN interlayer by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 35-40 Jin RQ; Liu JP; Zhang JC; Yang H 收藏  |  浏览/下载：497/215  |  提交时间：2010/03/09 crystal morphology   Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 388-393 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：260/57  |  提交时间：2010/03/09 triple-axis X-ray diffraction