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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improving the quality of GaN epilayer by preparing a novel patterned sapphire substrate 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2014, 卷号: 25, 页码: 267-272 作者:  Yang, Dechao;  Liang, Hongwei;  Qiu, Yu;  Shen, Rensheng;  Liu, Yang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/09 Evolution of the crystallographic planes of cone-shaped patterned sapphire substrate treated by wet etching 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 295, 页码: 26-30 作者:  Yang, Dechao;  Liang, Hongwei;  Qiu, Yu;  Shen, Rensheng;  Liu, Yang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/09 Patterned sapphire substrate  Wet etching  Crystallographic planes  Etching zones  Etching rate   Crack-free ultraviolet AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors grown by MOVPE on 6H-SiC(0001) 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2014, 卷号: 70, 页码: 54-60 作者:  Wang, Dongsheng;  Liang, Hongwei;  Tao, Pengcheng;  Zhang, Kexiong;  Song, Shiwei 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/09 Distributed Bragg reflectors  Metal organic vapor phase epitaxy  Double AlN/AlGaN layer buffer  Ultraviolet   Smooth surface morphology and low dislocation density of p-GaN using indium-assisted growth 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2014, 卷号: 116, 页码: 1561-1566 作者:  Zhang, Kexiong;  Liang, Hongwei;  Shen, Rensheng;  Song, Shiwei;  Wang, Dongsheng 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/09