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科研机构
河北大学 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2004 [11]
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发表日期:2004
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碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究
期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1930-1934
作者:
Yu, W[1]
;
He, J[2]
;
Sun, YT[3]
;
Zhu, HF[4]
;
Han, L[5]
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提交时间:2019/12/31
激光退火
晶化
碳化硅
HWP-CVD氮化硅薄膜的结构和光学特性
期刊论文
无机材料学报, 2004, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 907-911
作者:
Wu, W[1]
;
Hou, HH[2]
;
He, J[3]
;
Wang, HY[4]
;
Fu, GS[5]
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提交时间:2019/12/31
氮化硅薄膜
光学特性
螺旋波等离子体增强化学气相沉积
S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响
期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 2019-2023
作者:
Li, XW[1]
;
Li, XZ[2]
;
Jiang, XL[3]
;
Yu, W[4]
;
Tian, XD[5]
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提交时间:2019/12/31
微波相敏检测
光电子
增感
电子陷阱
卤化银微晶中光电子衰减谱的特性
期刊论文
光谱学与光谱分析, 2004, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 787-789
作者:
Li, XW[1]
;
Han, L[2]
;
Geng, AC[3]
;
Yang, SP[4]
;
Fu, GS[5]
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提交时间:2019/12/31
光学与微波双共振
光电子衰减谱
卤化银
Growth of nanocrystalline silicon films by helicon wave plasma chemical vapour deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 1320-1322
作者:
Yu, W[1]
;
Wang, BZ[2]
;
Lu, WB[3]
;
Yang, YB[4]
;
Han, L[5]
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提交时间:2019/12/31
The dynamic characteristics of sulfur sensitization centers in T-grain AgBrI microcrystals
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5373-5375
作者:
Fu, GS[1]
;
Yang, SP[2]
;
Li, XW[3]
;
Liu, RJ[4]
;
Tian, XD[5]
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提交时间:2019/12/31
The asymmetry of the Autler-Townes doublet in a three-level system
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 348-352
作者:
Zhang, LS[1]
;
Feng, XM[2]
;
Li, XW[3]
;
Han, L[4]
;
Fu, GS[5]
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提交时间:2019/12/31
Autler-Townes doublet
Bloch-Siegert shift
three-level system
Coherent transient in dressed-state and transient spectra of Autler-Townes doublet
期刊论文
PHYSICAL REVIEW A, 2004, 卷号: 70, 期号: 6
作者:
Zhang, LS[1]
;
Feng, XM[2]
;
Fu, GS[3]
;
Li, XW[4]
;
Han, L[5]
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/31
Investigation of photoelectron temporal characteristics in silver halide microcrystals using the microwave absorption technique
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 1326-1329
作者:
Yang, SP[1]
;
Fu, GS[2]
;
Dai, XH[3]
;
Dong, GY[4]
;
Li, XW[5]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/31
silver halide emulsion
photoelectron lifetime
microwave absorption
dye-sensitization
Influence of inert gas pressure on growing rate of nanocrystalline silicon film prepared by pulsed laser deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 201-202
作者:
Wang, YL[1]
;
Fu, GS[2]
;
Peng, YC[3]
;
Zhou, Y[4]
;
Chu, LZ[5]
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提交时间:2019/12/31
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