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	Growth of nanocrystalline silicon films by helicon wave plasma chemical vapour deposition
	Yu, W[1]; Wang, BZ[2]; Lu, WB[3]; Yang, YB[4]; Han, L[5]; Fu, GS[6]
刊名	CHINESE PHYSICS LETTERS
	2004
卷号	21期号:7页码:1320-1322
ISSN号	0256-307X
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收录类别	SCI(E)
WOS记录号	WOS:000222542100038
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5998123
专题	河北大学
作者单位	Hebei Univ, Coll Phys Sci & Technol, Baoding 071002, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Yu, W[1],Wang, BZ[2],Lu, WB[3],et al. Growth of nanocrystalline silicon films by helicon wave plasma chemical vapour deposition[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2004,21(7):1320-1322.
APA	Yu, W[1],Wang, BZ[2],Lu, WB[3],Yang, YB[4],Han, L[5],&Fu, GS[6].(2004).Growth of nanocrystalline silicon films by helicon wave plasma chemical vapour deposition.CHINESE PHYSICS LETTERS,21(7),1320-1322.
MLA	Yu, W[1],et al."Growth of nanocrystalline silicon films by helicon wave plasma chemical vapour deposition".CHINESE PHYSICS LETTERS 21.7(2004):1320-1322.

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