QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1998     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利 专利号: JP1998335749A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18 作者:  幡 俊雄;  菅原 聰;  花岡 大介 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利 专利号: JP2810518B2, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-10-15 作者:  工藤 裕章;  瀧口 治久;  猪口 和彦;  中西 千登勢;  菅原 聰 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利 专利号: JP2806533B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-09-30 作者:  坂根 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利 专利号: JP2755357B2, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-05-20 作者:  種谷 元隆;  工藤 裕章;  菅原 聰;  猪口 和彦;  中西 千登勢 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13