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| 半導体薄膜の成長方法 专利
专利号: JP1993299780A, 申请日期: 1993-11-12, 公开日期: 1993-11-12
作者: 菅原 聰
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| 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP1993283805A, 申请日期: 1993-10-29, 公开日期: 1993-10-29
作者: 猪口 和彦; 瀧口 治久; 種谷 元隆; 中西 千登勢; 菅原 聰
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1993283790A, 申请日期: 1993-10-29, 公开日期: 1993-10-29
作者: 瀧口 治久; 猪口 和彦; 工藤 裕章; 菅原 聰; 種谷 元隆
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| 半導体素子 专利
专利号: JP1993198896A, 申请日期: 1993-08-06, 公开日期: 1993-08-06
作者: 工藤 裕章; 猪口 和彦; 菅原 聰; 瀧口 治久
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| 分布帰還型半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1993048205A, 申请日期: 1993-02-26, 公开日期: 1993-02-26
作者: 菅原 聰; 瀧口 治久; 猪口 和彦; 中西 千登勢; 工藤 裕章
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| 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP1993037070A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12
作者: 種谷 元隆; 猪口 和彦; 工藤 裕章; 中西 千登勢; 菅原 聰
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