| 半導体薄膜の成長方法 | |
| 菅原 聰 | |
| 1993-11-12 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP1993299780A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体薄膜の成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 下地となる半導体層のキャリャ濃度を初期の設計値を維持して半導体薄膜を成長させる。 【構成】 p型のドーパントとしてZnやMgをドーピングした半導体薄膜にエッチング、その他の加工を施した後、その上に半導体薄膜を再成長させる際、再成長を開始する温度に基板温度を昇温させる工程中に、p型ドーパントの金属の有機金属化合物を基板上に供給する。 【効果】 下地となる半導体薄膜のキャリャ濃度の変化を抑制できる。p型層のキャリャ濃度の低下を抑制できるので、素子が高温動作する場合に活性層からp型層にオーバフローするキャリャが少なくなり、高温動作特性に優れたレーザがえられる |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1992-04-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84211]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 聰. 半導体薄膜の成長方法. JP1993299780A. 1993-11-12. |
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