分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 | |
猪口 和彦; 瀧口 治久; 種谷 元隆; 中西 千登勢; 菅原 聰; 工藤 裕章 | |
1993-10-29 | |
著作权人 | シャープ株式会社 |
专利号 | JP1993283805A |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 |
英文摘要 | 【目的】 ストライプ溝の全域にわたって均一な回折格子を形成し、発振される光の縦モードを制御する構造と横モードを制御する構造とを有する分布帰還型半導体レーザ素子を、非常に歩留りよく製造し得る方法を提供する。 【構成】 第1の結晶成長工程により、半導体基板10上に、第1クラッド層11、活性層12、光導波路層14を順次形成する。光導波路層14の表面上に回折格子21を形成する。第2の結晶成長工程により、回折格子21の形成された光導波路層14上に、電流阻止層17を形成する。電流阻止層17を回折格子21が露出されるように選択的にエッチングして、ストライプ溝を形成する。第3の結晶成長工程により、ストライプ溝内部を含めた電流阻止層17上に第2クラッド層19を形成する。 |
公开日期 | 1993-10-29 |
申请日期 | 1992-07-21 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67605] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | シャープ株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 猪口 和彦,瀧口 治久,種谷 元隆,等. 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法. JP1993283805A. 1993-10-29. |
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