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	分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法
	猪口 和彦; 瀧口 治久; 種谷 元隆; 中西 千登勢; 菅原 聰; 工藤 裕章
	1993-10-29
著作权人	シャープ株式会社
专利号	JP1993283805A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法
英文摘要	【目的】 ストライプ溝の全域にわたって均一な回折格子を形成し、発振される光の縦モードを制御する構造と横モードを制御する構造とを有する分布帰還型半導体レーザ素子を、非常に歩留りよく製造し得る方法を提供する。 【構成】 第1の結晶成長工程により、半導体基板10上に、第1クラッド層11、活性層12、光導波路層14を順次形成する。光導波路層14の表面上に回折格子21を形成する。第2の結晶成長工程により、回折格子21の形成された光導波路層14上に、電流阻止層17を形成する。電流阻止層17を回折格子21が露出されるように選択的にエッチングして、ストライプ溝を形成する。第3の結晶成長工程により、ストライプ溝内部を含めた電流阻止層17上に第2クラッド層19を形成する。
公开日期	1993-10-29
申请日期	1992-07-21
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67605]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	猪口 和彦,瀧口 治久,種谷 元隆,等. 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法. JP1993283805A. 1993-10-29.

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