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Thin film and substrate-removed group III-nitride based devices and method 专利
专利号: US10249786, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02
作者:  BATRES, MAX;  YANG, ZHIHONG;  WUNDERER, THOMAS
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Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 专利
专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13
作者:  KRYLIOUK, OLGA;  MELNIK, YURIY;  KOJIRI, HIDEHIRO;  ISHIKAWA, TETSUYA
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III-V nitride substrate boule and method of making and using the same 专利
专利号: US7915152, 申请日期: 2011-03-29, 公开日期: 2011-03-29
作者:  VAUDO, ROBERT P.;  FLYNN, JEFFREY S.;  BRANDES, GEORGE R.;  REDWING, JOAN M.;  TISCHLER, MICHAEL A.
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110 oriented group iv-vi semiconductor structure, and method for making and using the same 专利
专利号: EP1714359A2, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25
作者:  ZHISHENG, SHI
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Method for producing a semiconductor laser diode 专利
专利号: WO2004023535A1, 申请日期: 2004-03-18, 公开日期: 2004-03-18
作者:  CHALY, VIKTOR PETROVICH;  POGORELSKY, YURY VASILIEVICH
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Semiconductor laser with disordered and non-disordered quantum well regions 专利
专利号: US6594295, 申请日期: 2003-07-15, 公开日期: 2003-07-15
作者:  SARGENT, EDWARD H.
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Growing a low defect gallium nitride based semiconductor 专利
专利号: US20020075925A1, 申请日期: 2002-06-20, 公开日期: 2002-06-20
作者:  WANG, SHIH-YUAN;  CHEN, YONG
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Removable large area, low defect density films for led and laser diode growth 专利
专利号: US6355497, 申请日期: 2002-03-12, 公开日期: 2002-03-12
作者:  ROMANO, LINDA T.;  KRUSOR, BRENT S.;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  JOHNSON, NOBLE M.;  WOOD, ROSE M.
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Method for forming GaN semiconductor single crystal substrate and GaN diode with the substrate 专利
专利号: US6177292, 申请日期: 2001-01-23, 公开日期: 2001-01-23
作者:  HONG, CHANG-HEE;  KIM, SUN TAE
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2642404B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者:  粒来 保彦;  国分 義弘
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