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| エピタキシャルウェハおよび化合物半導体デバイス 专利
专利号: JP3747125B2, 申请日期: 2005-12-02, 公开日期: 2006-02-22
作者: 寺嶋 一高; 津崎 卓司; 宇田川 隆
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| 化合物半導体装置および通信装置 专利
专利号: JP2000228371A, 申请日期: 2000-08-15, 公开日期: 2000-08-15
作者: 寺野 昭久; 樋口 克彦; 工藤 真
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| III族窒化物半導体素子 专利
专利号: JP2000004046A, 申请日期: 2000-01-07, 公开日期: 2000-01-07
作者: 寺嶋 一高; 宇田川 隆
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| エピタキシャルウェハおよびその製造方法 专利
专利号: JP1999162848A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
作者: 寺嶋 一高; 津崎 卓司; 宇田川 隆
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| 光送受信モジュ-ル 专利
专利号: JP1997269440A, 申请日期: 1997-10-14, 公开日期: 1997-10-14
作者: 工原 美樹; 中西 裕美; 藤村 康; 寺内 均; 西江 光昭
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| 半導体レーザアレイ及びその製造方法 专利
专利号: JP1996236871A, 申请日期: 1996-09-13, 公开日期: 1996-09-13
作者: 寺田 敏行; 鈴木 哲哉; 藤田 泰久; 藤井 智
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| 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1996236870A, 申请日期: 1996-09-13, 公开日期: 1996-09-13
作者: 寺田 敏行; 鈴木 哲哉; 藤田 泰久; 藤井 智
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