| 化合物半導体装置および通信装置 | |
| 寺野 昭久; 樋口 克彦; 工藤 真 | |
| 2000-08-15 | |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 专利号 | JP2000228371A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体装置および通信装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 Inが含まれる化合物半導体に対する従来技術の Au/Mo/Ni/ Au-Ge合金からなる4層構造のオーミック電極は、アニール温度が300℃から400℃まで上昇する間にコンタクト抵抗が10倍以上増大する。また350℃以上のアニールによってアロイ層が所定の電極パターンから横方向にはみ出した形で形成される。 【解決手段】 従来技術電極の Au-Ge合金層とNi層との間にW層を設ける。W層の膜厚は5nm〜20nmの範囲にあることが望ましい。 【効果】 耐熱環境性に優れた化合物半導体装置及び通信装置を実現できる。 |
| 公开日期 | 2000-08-15 |
| 申请日期 | 1999-02-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63930]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺野 昭久,樋口 克彦,工藤 真. 化合物半導体装置および通信装置. JP2000228371A. 2000-08-15. |
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