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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1.54 mu m electroluminescence from p-si anode organic light emitting diode with bphen: er(dbm)(3)phen as emitter and bphen as electron transport material 期刊论文 Optics express, 2010, 卷号: 18, 期号: 13, 页码: 13542-13546 作者:  Wei, F.;  Li, Y. Z.;  Ran, G. Z.;  Qin, G. G. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Electroluminescence from ge on si substrate at room temperature 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: 3 作者:  Hu, Weixuan;  Cheng, Buwen;  Xue, Chunlai;  Xue, Haiyun;  Su, Shaojian 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102 作者:  Su SJ;  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTORS  DEPENDENCE  SILICON  GAP   Combination of passivated si anode with phosphor doped organic to realize highly efficient si-based electroluminescence 期刊论文 Optics express, 2008, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 5158-5163 作者:  Zhao, W. Q.;  Ran, G. Z.;  Liu, Z. W.;  Bian, Z. Q.;  Sun, K. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of si doping on cubic gan films grown on gaas(100) 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154 作者:  Xu, DP;  Yang, H;  Li, JB;  Li, SF;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Cubic  Hexagonal  Photoluminescence  Xrd   Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  cubic  hexagonal  photoluminescence  XRD  DOPED GAN  SILICON  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  LIGHT-EMITTING DIODES