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半导体研究所 [108]
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期刊论文 [96]
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Investigation of lead surface segregation during germanium–lead epitaxial growth
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2020, 卷号: 55, 期号: 11, 页码: 4762-4768
作者:
Xiangquan Liu
;
Jun Zheng
;
Xiuli Li
;
Chaoqun Niu
;
Linzhi Peng
;
Fengshuo Wan
;
Zhi Liu
;
Yuhua Zuo
;
Chunlai Xue
;
Buwen Cheng
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2021/11/01
Spectroscopic evidence of different segregation lengths of indium atoms at the direct and inverted interfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
physica e: low-dimensional systems and nanostructures, 2016, 卷号: 81, 页码: 240-247
Jinling Yuabd
;
Shuying Chengbd
;
Yunfeng Laib
;
Qiao Zhengb
;
Yonghai Chenc
;
Jun Rena
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/10
Ni ohmic contacts to n-type Ge1−x−ySixSny using phosphorous implant and segregation
期刊论文
AIP Advances, 2015, 卷号: 5, 期号: 12
Suyuan Wang
;
Jun Zheng
;
Chunlai Xue
;
Chuanbo Li
;
Yuhua Zuo
;
Buwen Cheng
;
Qiming Wang
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/03/22
Dopant Segregation and Nickel Stanogermanide Contact Formation on p(+) Ge0.947Sn0.053 Source/Drain
期刊论文
ieee electron device letters, 2012, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 634-636
Han, GQ
;
Su, SJ
;
Zhou, Q
;
Guo, PF
;
Yang, Y
;
Zhan, CL
;
Wang, LX
;
Wang, W
;
Wang, QM
;
Xue, CL
;
Cheng, BW
;
Yeo, YC
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/03/17
Observation of strong anisotropic forbidden transitions in (001) ingaas/gaas single-quantum well by reflectance-difference spectroscopy and its behavior under uniaxial strain
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1
作者:
Yu,Jin-Ling
;
Chen,Yong-Hai
;
Tang,Chen-Guang
;
Jiang,ChongYun
;
Ye,Xiao-Ling
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in ingaas/algaas quantum wells
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: 6
作者:
Yu, J. L.
;
Chen, Y. H.
;
Jiang, C. Y.
;
Liu, Y.
;
Ma, H.
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Epitaxial growth and thermal stability of ge(1-x)sn(x) alloys on ge-buffered si(001) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
作者:
Su, Shaojian
;
Wang, Wei
;
Cheng, Buwen
;
Zhang, Guangze
;
Hu, Weixuan
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2019/05/12
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
Epitaxial growth of ge0.975sn0.025 alloy films on si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Su Shao-Jian
;
Wang Wei
;
Zhang Guang-Ze
;
Hu Wei-Xuan
;
Bai An-Qi
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2019/05/12
Gesn
Ge
Molecular beam epitaxy
Epitaxial growth
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
  |  
提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
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