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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 新型衬底氮化物LED外延及发光机制的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 安平博 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/12/02 非晶玻璃衬底  GaN  AlN  石墨烯  选区生长  溅射  生长机制   硅基III-V族横向纳米线晶体管的工艺研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 洪文婷 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/06/02 硅基叉指结构图形衬底+III-V族纳米线+选区横向生长+费米能级钉扎效应+界面态密度   多波长硅基混合激光器阵列研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 袁丽君 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2015/05/28 选区金属键合  硅基混合激光器  掺Fe掩埋异质结激光器  掩埋脊波导激光器  多波长混合激光器阵列   HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533 作者:  刘喆;  魏同波;  段瑞飞 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 399-402 作者:  王圩 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23 窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究 期刊论文 中国激光, 2002, 卷号: A29, 期号: 9, 页码: 832-836 作者:  王圩 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器 期刊论文 中国激光, 2001, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 321 作者:  朱洪亮;  王圩 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 周旭亮; 于红艳; 潘教青; 王圩 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2014/10/31 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 韩伟华; 杨晓光; 杨涛; 王昊; 洪文婷; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/11/17