窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究

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	窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究
	王圩
刊名	中国激光
	2002
卷号	A29 期号:9 页码:832-836
中文摘要	采用窄条宽选区生长化学气相沉积（NSAG-MOCVD）技术在掩膜宽度0～40 μm范围内，获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料，经推导，获得各个生长区域的组份、应变和In，Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系，并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内，与III族分压比相关，大于阈值掩膜宽度范围内，与III族源无关，此外，对材料富In现象作了合理解释。
英文摘要	采用窄条宽选区生长化学气相沉积（NSAG-MOCVD）技术在掩膜宽度0～40 μm范围内，获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料，经推导，获得各个生长区域的组份、应变和In，Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系，并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内，与III族分压比相关，大于阈值掩膜宽度范围内，与III族源无关，此外，对材料富In现象作了合理解释。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:09导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5060.pdf: 238979 bytes, checksum: 697cd5a94cdbb24c83c93f658e72bdf7 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家973项目（编号：G2 683-1）,国家自然科学基金（编号：6989626 ）资助项目; 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;中国科学院半导体研究所;长春光机学院
学科主题	半导体化学
收录类别	CSCD
资助信息	国家973项目（编号：G2 683-1）,国家自然科学基金（编号：6989626 ）资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18027]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王圩. 窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究[J]. 中国激光,2002,A29(9):832-836.
APA	王圩.(2002).窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究.中国激光,A29(9),832-836.
MLA	王圩."窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究".中国激光 A29.9(2002):832-836.