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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 离子注入氮化薄SiO_2栅介质的特性 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 881 王延峰; 刘忠立 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 SOS氧化硅栅ISFET特性研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1987 张永志 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2009/04/13 一种高密度低寄生的电容装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010123023.3, 公开日期: 2011-08-30 冯鹏; 吴南健 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/08/30 一种高密度低寄生的电容装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010123024.8, 公开日期: 2011-08-30 冯鹏; 吴南健 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2011/08/30 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910076949.9, 公开日期: 2011-08-30 陈弘达; 王伟 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/08/30