| 一种高密度低寄生的电容装置; 一种高密度低寄生的电容装置 | |
| 冯鹏 ; 吴南健 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201010123023.3 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种高密度低寄生的电容装置，包括：一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和N阱构成的PMOS电容；多晶硅栅与第一层金属之间的第一电容；同一层金属之间的第二电容，其中该同一层金属由金属方块阵列构成，且每一个金属方块与其相邻的金属方块分别连接到电容装置的A端口和B端口；通孔与通孔之间的第三电容，其中每个通孔与其相邻的通孔分别连接到电容装置的A端口和B端口；MIM电容，具有上极板和下极板，上极板和下极板分别连接到电容装置的A端口和B端口。本发明通过在MOS电容上实现多晶硅栅与金属层之间的电容、同层金属之间的电容、通孔与通孔之间的电容、MIM电容等，最大限度的实现了单位面积上的电容。 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201010123023.3 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21839]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯鹏,吴南健. 一种高密度低寄生的电容装置, 一种高密度低寄生的电容装置. CN201010123023.3. |
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