一种高密度低寄生的电容装置; 一种高密度低寄生的电容装置 | |
冯鹏 ; 吴南健 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN201010123024.8 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
中文摘要 | 本发明公开了一种电容装置,包括:一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和N阱构成的PMOS电容,其中源、漏和N阱连接到电容装置的A端口,多晶硅栅连接到电容装置的B端口;同一层金属之间的第一电容,该同一层金属由两个连接到电容装置A端口和B端口的金属叉指构成;相邻层金属之间的第二电容,其中上层金属叉指与其投影下方的金属叉指分别连接到电容装置的A端口和B端口;MIM电容,具有上极板和下极板,上极板和下极板分别连接到电容装置的A端口和B端口。本发明通过在MOS电容上实现同层金属之间的电容、相邻金属层之间的电容、MIM电容等,最大限度的实现了单位面积上的电容。 |
公开日期 | 2011-08-30 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201010123024.8 |
专利代理 | 周国城 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21837] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯鹏,吴南健. 一种高密度低寄生的电容装置, 一种高密度低寄生的电容装置. CN201010123024.8. |
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