一种硅基正向注入发光器件及其制作方法; 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法 | |
陈弘达 ; 王伟 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN200910076949.9 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
中文摘要 | 本发明公开了一种硅基正向注入发光器件及其制作方法,该器件包括:P型硅衬底;嵌入于该P型硅衬底中的N阱;由N+重掺杂有源区与P+重掺杂有源区交替构成的U形梳状结构,该U形梳状结构剖面为N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+的结构,嵌入于N阱中;位于N阱环形周围的一个P+重掺杂有源区,该P+重掺杂有源区嵌入于P型硅衬底中,构成P+衬底接触;位于器件P+-P+之间上方的SiO2栅氧化层;位于该SiO2栅氧化层上的多晶硅栅,该多晶硅栅为条状U形结构;所述N+重掺杂有源区通过金属与阴极连接,所述阱中的P+重掺杂有源区、P+间的多晶硅栅和N阱外侧的P+衬底接触通过金属连接引出阳极。利用本发明,采用P型衬底和N阱内P+重掺杂有源区均向阴极进行双重注入实现PN结正向发光。 |
公开日期 | 2011-08-30 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200910076949.9 |
专利代理 | 周国城 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22071] ![]() |
专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈弘达,王伟. 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法, 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法. CN200910076949.9. |
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