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	一种硅基正向注入发光器件及其制作方法; 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法
	陈弘达 ; 王伟
专利国别	中国
专利号	CN200910076949.9
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明公开了一种硅基正向注入发光器件及其制作方法，该器件包括：P型硅衬底；嵌入于该P型硅衬底中的N阱；由N+重掺杂有源区与P+重掺杂有源区交替构成的U形梳状结构，该U形梳状结构剖面为N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+的结构，嵌入于N阱中；位于N阱环形周围的一个P+重掺杂有源区，该P+重掺杂有源区嵌入于P型硅衬底中，构成P+衬底接触；位于器件P+-P+之间上方的SiO2栅氧化层；位于该SiO2栅氧化层上的多晶硅栅，该多晶硅栅为条状U形结构；所述N+重掺杂有源区通过金属与阴极连接，所述阱中的P+重掺杂有源区、P+间的多晶硅栅和N阱外侧的P+衬底接触通过金属连接引出阳极。利用本发明，采用P型衬底和N阱内P+重掺杂有源区均向阴极进行双重注入实现PN结正向发光。
公开日期	2011-08-30
语种	中文
专利申请号	CN200910076949.9
专利代理	周国城
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22071]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	陈弘达,王伟. 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法, 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法. CN200910076949.9.

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