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以金属为缓冲层在Si（111）上分子束外延GaN及其表征 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1998-2002
林郭强; 曾一平; 王晓亮; 刘宏新
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双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究 期刊论文
光电子·激光, 2007, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 40-42
作者:  王晓东;  周代兵
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/11/23
双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1586-1589
作者:  周代兵;  王晓东
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23
带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器 期刊论文
光电子·激光, 2006, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 62-64
李成; 赖虹凯; 陈松岩; 王启明
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(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 745-750
韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 卢励吾
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Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应 期刊论文
物理学报, 1998, 卷号: 47, 期号: 1, 页码: 75
王佑祥; 岳瑞峰; 陈春华
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Ti和AlN陶瓷的界面反应 期刊论文
西安交通大学学报, 1997, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 1
岳瑞峰; 王佑祥; 陈春华; 徐传骧
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
Ti和蓝宝石的界面反应 期刊论文
物理学报, 1996, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 832
顾诠; 王佑祥; 崔玉德; 陈新; 陶琨
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用于电子束蒸发薄膜的样品夹具 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240352.9, 公开日期: 2011-08-31
刘万峰; 王利军; 刘峰奇; 王占国
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/08/31
可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
杨怀伟; 李彬; 韩勤
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