双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺

	双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺
	周代兵; 王晓东
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:9 页码:1586-1589
中文摘要	用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16597]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	周代兵,王晓东. 双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺[J]. 半导体学报,2006,27(9):1586-1589.
APA	周代兵,&王晓东.(2006).双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺.半导体学报,27(9),1586-1589.
MLA	周代兵,et al."双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺".半导体学报 27.9(2006):1586-1589.