以金属为缓冲层在Si（111）上分子束外延GaN及其表征

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	以金属为缓冲层在Si（111）上分子束外延GaN及其表征
	林郭强 ; 曾一平 ; 王晓亮 ; 刘宏新
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:10 页码:1998-2002
中文摘要	用电子束蒸发方法在Si（111）衬底上蒸发了Au/Cr和Au/Ti/Al/Ti两种金属缓冲层,然后在金属缓冲层上用气源分子束外延（GSMBE）生长GaN.两种缓冲层的表面都比较平整和均匀,都是具有Au（111）面择优取向的立方相Au层.在Au/Cr/Si（111）上MBE生长的GaN,生长结束后出现剥离.在Au/Ti/Al/Ti/Si（111）上无AlN缓冲层直接生长GaN,得到的是多晶GaN;先在800℃生长一层AlN缓冲层,然后在710℃生长GaN,得到的是沿GaN（0001）面择优取向的六方相GaN.将Au/Ti/Al/Ti/Si（111）在800℃下退火20min,金属层收缩为网状结构,并且成为多晶,不再具有Au（111）方向择优取向.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15937]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	林郭强,曾一平,王晓亮,等. 以金属为缓冲层在Si（111）上分子束外延GaN及其表征[J]. 半导体学报,2008,29(10):1998-2002.
APA	林郭强,曾一平,王晓亮,&刘宏新.(2008).以金属为缓冲层在Si（111）上分子束外延GaN及其表征.半导体学报,29(10),1998-2002.
MLA	林郭强,et al."以金属为缓冲层在Si（111）上分子束外延GaN及其表征".半导体学报 29.10(2008):1998-2002.