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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tunable Schottky contacts in MSe2/NbSe2 (M = Mo and W) heterostructures and promising application potential in field-effect transistors 期刊论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2018, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 1897-1903 作者:  Lv, Xingshuai;  Wei, Wei;  Zhao, Pei;  Li, Jinjin;  Huang, Baibiao 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/11 Electrical contacts and tunable rectifications in monolayer GeSe-metal junctions 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 51, 期号: 33 作者:  Fan, Zhi-Qiang;  Chen, Jiezhi;  Jiang, Xiangwei 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11 2D semiconductor  rectification  density-functional theory  Schottky  contact   Space-charge dominated epitaxial BaTiO3 heterostructures 期刊论文 ACTA MATERIALIA, 2015, 卷号: 85, 页码: 207-215 作者:  Zhang, Wei;  Gao, Yiqun;  Kang, Limin;  Yuan, Meiling;  Yang, Qian 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/17 Transport mechanism  Leakage current  Schottky contacts  Barium  titanate  Epitaxial films   Space-charge dominated epitaxial BaTiO3 heterostructures 期刊论文 Acta materialia, 2015, 页码: 207-215 作者:  Zhang, Wei;  Gao, Yiqun;  Kang, Limin;  Yuan, Meiling;  Yang, Qian 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/17 Transport mechanism  Leakage current  Schottky contacts  Barium titanate  Epitaxial films   Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 中国物理B：英文版, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 394-398 作者:  曹芝芳[1];  林兆军[1];  吕元杰[1];  栾崇彪[1];  王占国[2] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/23 异质结场效应晶体管  ALGAN  应变变化  肖特基  势垒层  AlN  HFET  欧姆接触   Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文 Chinese Physics B, 2012, 期号: 01, 页码: 414-418 作者:  Cao ZF(曹芝芳);  Lin ZJ(林兆军);  Lv YJ(吕元杰);  Luan CB(栾崇彪);  Yu YX(于英霞) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23 AlGaN/AlN/GaN heterostructures,Schottky barrier diodes,power consumption,series resistance   Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 1 作者:  Cao Zhi-Fang;  Lin Zhao-Jun;  Lu Yuan-Jie;  Luan Chong-Biao;  Yu Ying-Xia 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/23 AlGaN/AlN/GaN heterostructures  Schottky barrier diodes  power  consumption  series resistance   Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文 中国物理：英文版, 2011, 期号: 09 作者:  吕元杰[1];  林兆军[1];  张宇[1];  孟令国[1];  曹芝芳[1] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/23 相对介电常数  异质结器件  肖特基接触  热应力  屏障  逆压电效应  时间常数  泊松方程   Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文 中国物理B：英文版, 2011, 期号: 04 作者:  吕元杰[1];  林兆军[1];  张宇[1];  孟令国[1];  曹芝芳[1] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/23 ALGAN  肖特基接触  异质结构  特性参数  热应力  二维电子气  泊松方程  板材密度