QQ客服 官方微博 反馈留言

	Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
	吕元杰[1]; 林兆军[1]; 张宇[1]; 孟令国[1]; 曹芝芳[1]; 栾崇彪[1]; 陈弘[2]; 王占国[3]
刊名	中国物理：英文版
	2011
期号	09
关键词	相对介电常数 异质结器件 肖特基接触 热应力 屏障 逆压电效应 时间常数 泊松方程
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5231022
专题	山东大学
作者单位	1.School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China. 2.Beijing National Laboratory for Condensed
推荐引用方式 GB/T 7714	吕元杰[1],林兆军[1],张宇[1],et al. Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts[J]. 中国物理：英文版,2011(09).
APA	吕元杰[1].,林兆军[1].,张宇[1].,孟令国[1].,曹芝芳[1].,...&王占国[3].(2011).Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts.中国物理：英文版(09).
MLA	吕元杰[1],et al."Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts".中国物理：英文版 .09(2011).

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。