Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts | |
吕元杰[1]; 林兆军[1]; 张宇[1]; 孟令国[1]; 曹芝芳[1]; 栾崇彪[1]; 陈弘[2]; 王占国[3] | |
刊名 | 中国物理:英文版
![]() |
2011 | |
期号 | 09 |
关键词 | 相对介电常数 异质结器件 肖特基接触 热应力 屏障 逆压电效应 时间常数 泊松方程 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5231022 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 1.School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China. 2.Beijing National Laboratory for Condensed |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕元杰[1],林兆军[1],张宇[1],et al. Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts[J]. 中国物理:英文版,2011(09). |
APA | 吕元杰[1].,林兆军[1].,张宇[1].,孟令国[1].,曹芝芳[1].,...&王占国[3].(2011).Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts.中国物理:英文版(09). |
MLA | 吕元杰[1],et al."Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts".中国物理:英文版 .09(2011). |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论