×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
上海微系统与信息技... [27]
内容类型
期刊论文 [26]
学位论文 [1]
发表日期
2012 [5]
2011 [2]
2010 [1]
2009 [2]
2008 [1]
2007 [2]
更多...
学科主题
Physics, M... [6]
Engineerin... [2]
Instrument... [2]
Physics, A... [2]
Biology; B... [1]
Chemistry,... [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共27条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:上海微系统与信息技术研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2012
胡志远
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2013/04/24
MOS器件
闪存单元
总剂量效应
浅沟槽隔离
Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270
Chen, M
;
Zhang, ZX
;
Wei, X
;
Bi, DW
;
Zou, SC
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2013/04/17
Silicon dioxide
Ion implantation
Total ionizing dose
Carrier transportation
Radiation-induced shallow trench isolation leakage in 180-nm flash memory technology
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2012, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 130-136
Ning, BX
;
Zhang, ZX
;
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Chen, M
;
Bi, DW
;
Zou, SC
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/04/17
The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702
Hu, ZY
;
Liu, ZL
;
Shao, H
;
Zhang, ZX
;
Ning, BX
;
Bi, DW
;
Chen, M
;
Zou, SC
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2013/04/17
total ionizing dose
shallow trench isolation
oxide trapped charge
metal-oxide-semiconductor field effect transistor
Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270
Chen, M
;
Zhang, Z(重点实验室)X
;
Wei, X
;
Bi, DW(重点实验室)
;
Zou, S(重点实验室)C
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Physics
Physics
Nuclear Science & Technology
Atomic
Nuclear
Molecular & Chemical
Influence of poly region extended into field oxide on total ionizing dose effect for deep submicron MOSFET
期刊论文
Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS.RADECS 2011 - 12th European Conference on Radiation and Its Effects on Component and Systems, Conference Proceedings, 2011, 期号: 0, 页码: 28-35
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Zhang, ZX
;
Shao, H
;
Ning, Bingxu
;
Chen, M
;
Bi, Dawei
;
Zou, SC
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2012/08/28
The impact of total ionizing radiation on body effect
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2011, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 1396-1399
Ning,BX
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Liu,ZL
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCI LTD
Numerical study on heterodyne terahertz detection in field effect transistor
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2010, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 7782-7789
Yan, ZF
;
Zhu, JX
;
Wang, YL
;
Lin, XN
;
He, J
;
Cao, JC
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2011/11/03
DC CURRENT
RADIATION
Fabrication of Total-Dose-Radiation-Hardened (TDRH) SOI wafer with embedded silicon nanoclusters
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 8-9, 页码: 1489-1491
Wu, AM
;
Wang, X
;
Wei, X
;
Chen, J
;
Chen, M
;
Zhang, ZX
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/03/24
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
IMPLANTATION
IRRADIATION
NANOCRYSTALS
An Analytical Terahertz Detection Theory for Silicon-Based Nanowire MOS Field Effect Transistor
期刊论文
JOURNAL OF COMPUTATIONAL AND THEORETICAL NANOSCIENCE, 2009, 卷号: 6, 期号: 10, 页码: 2247-2254
Chen, Y
;
He, J
;
Mu, XH
;
Lou, HJ
;
Zhang, LN
;
Song, Y
;
Yang, ZF
;
Zhu, JX
;
Cao, JC
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2011/11/03
2-DIMENSIONAL ELECTRONIC FLUID
SURROUNDING-GATE MOSFETS
RESONANT DETECTION
PLASMA-WAVES
RADIATION
SUBTERAHERTZ
DESIGN
MODEL
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace