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| 石墨烯材料化学气相沉积法的可控制备及表征 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2012 吴渊文
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| 采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究 期刊论文 无机材料学报, 2012, 期号: 9, 页码: 956-960 张有为; 万里; 程新红; 王中健; 夏超; 曹铎; 贾婷婷; 俞跃辉
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| 石墨烯基场效应晶体管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102184849A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14 程新红; 张有为; 徐大伟; 王中建; 夏超; 何大伟; 俞跃辉
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| Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157681A, 申请日期: 2011-08-17, 公开日期: 2011-08-17 宋三年; 宋志棠; 吕业刚
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| 纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102082228A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01 吕业刚; 宋三年; 宋志棠
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| 制备纳米晶电阻转换材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102011089A, 申请日期: 2011-04-13, 公开日期: 2011-04-13 张挺; 宋志棠; 刘波; 吴关平; 张超; 封松林; 陈邦明
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| 高k材料Ta_2O_5结构与电学性质的研究 期刊论文 功能材料, 2011, 期号: 07 陈息林; 余涛; 吴雪梅; 董尧君; 诸葛兰剑
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| Cu上石墨烯的化学气相沉积法生长研究 期刊论文 功能材料与器件学报, 2011, 期号: 05 师小萍; 于广辉; 王斌; 吴渊文
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| 纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101783391A, 申请日期: 2010-07-21, 公开日期: 2010-07-21 宋三年; 宋志棠
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| SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超
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