高k材料Ta_2O_5结构与电学性质的研究

	高k材料Ta_2O_5结构与电学性质的研究
	陈息林 ; 余涛 ; 吴雪梅 ; 董尧君 ; 诸葛兰剑
刊名	功能材料
	2011
期号	07
关键词	高k栅介质 Ta2O5 MOSFET器件微结构电学性质
ISSN号	1001-9731
中文摘要	利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106992]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈息林,余涛,吴雪梅,等. 高k材料Ta_2O_5结构与电学性质的研究[J]. 功能材料,2011(07).
APA	陈息林,余涛,吴雪梅,董尧君,&诸葛兰剑.(2011).高k材料Ta_2O_5结构与电学性质的研究.功能材料(07).
MLA	陈息林,et al."高k材料Ta_2O_5结构与电学性质的研究".功能材料 .07(2011).