| 纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途 | |
| 宋三年 ; 宋志棠 | |
| 2010-07-21 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101783391A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途，其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为8-36％的Ta2O5、和重量百分比为64-92％的相变材料，由于相变材料与Ta2O5在纳米尺度的均匀复合，Ta2O5的存在一方面抑制了相变材料晶粒的长大，提升了材料的电阻率和晶化温度，增加了材料的热稳定性；另一方面由于晶界密度的增加，材料的热导率减小，同时Ta2O5的引入提升了材料的介电常数，有利于器件阈值电压的减小。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低， |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-07-21 |
| 申请日期 | 2010-02-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010105702.8 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49364]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋三年,宋志棠. 纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途. CN101783391A. 2010-07-21. |
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