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三明治电容式MEMS加速度计的器件级真空封装 期刊论文
半导体技术, 2012, 期号: 10, 页码: 790-794+814
蔡梅妮; 车录锋; 林友玲; 周晓峰; 黎晓林; 吴健
收藏  |  浏览/下载:61/0  |  提交时间:2013/02/22
制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102299093A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
魏星; 仰庶; 曹共柏; 张峰; 王曦
收藏  |  浏览/下载:38/0  |  提交时间:2012/01/06
以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101174640, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2008-05-07
陈超; 刘卫丽; 宋志棠; 林成鲁
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2012/01/06
单片集成的高性能压阻式三轴高g加速度计的设计、制造和测试 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 09
董培涛; 李昕欣; 张鲲; 吴学忠; 李圣怡; 封松林
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2012/01/06
一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 10
徐玮鹤; 车录锋; 李玉芳; 熊斌; 王跃林
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2012/01/06
与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1851950, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25
李铁; 刘义冬; 王翊; 熊斌; 王跃林
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一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1603795, 申请日期: 2005-04-06, 公开日期: 2005-04-06
劳燕锋; 吴惠桢; 封松林; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2012/01/06
磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法 成果
鉴定: 无, 2004
吴惠桢; 劳燕锋; 郝幼生
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悬臂式RF MEMS开关的设计与研制 期刊论文
半导体学报, 2003, 期号: 11
郭方敏; 赖宗声; 朱自强; 贾铭; 初建朋; 范忠; 朱荣锦; 戈肖鸿; 杨根庆; 陆卫
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超薄SOI上应变锗硅材料的生长 会议论文
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会, 2003
狄增峰; 张苗; 吴雁军; 安正华; 朱鸣; 刘卫丽; 林成鲁
收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2012/01/18


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