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	磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法
	吴惠桢 ; 劳燕锋 ; 郝幼生
	2004
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	本发明提供了一种无损检测III-V族化合物半导体InP与GaAs基材料的直接键合结构质量的方法。在直接键合过程中,由于键合压力沿晶片表面分布的不均匀或晶片预处理过程中非故意引入的表面颗粒物质使InP-GaAs交界面局部区域形成非良好接触,键合退火过程后这些区域形成较差的键合界面或未键合区域;对InP-GaAs直接键合结构进行红外吸收光谱特性的二维扫描探测发现,某些区域在波长3.51um附近出现吸收峰,表明该区域出现了类似InAs微结构物质的中间层,而吸收谱上3.51um附近不出现吸收峰的区域则不存在中间层
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113671]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	吴惠桢,劳燕锋,郝幼生. 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法. 鉴定:无. 2004.

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