一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器

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	一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器
	徐玮鹤 ; 车录锋 ; 李玉芳 ; 熊斌 ; 王跃林
刊名	半导体学报
	2007
期号	10
关键词	纳米材料 β-Ni(OH)_2 ZnO XRD多重宽化效应
ISSN号	0253-4177
中文摘要	提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构圆片级真空封装的同时,通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线.传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.68mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.84mm.对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器漏率小于0.1×10-9cm3/s,灵敏度约为6pF/g,品质因子为35,谐振频率为489
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51183]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	徐玮鹤,车录锋,李玉芳,等. 一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器[J]. 半导体学报,2007(10).
APA	徐玮鹤,车录锋,李玉芳,熊斌,&王跃林.(2007).一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器.半导体学报(10).
MLA	徐玮鹤,et al."一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器".半导体学报 .10(2007).