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| 半导体器件及其形成方法、封装结构 专利
专利号: CN201110112565.5, 申请日期: 2016-09-14, 公开日期: 2012-11-07
作者: 梁擎擎 ; 闫江; 赵超; 钟汇才
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| 一种MOS场效应晶体管 专利
专利号: CN201010102696.0, 申请日期: 2014-03-05, 公开日期: 2011-08-03
作者: 梁擎擎; 陈大鹏
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| 一种制作结晶态高K栅介质材料的方法 专利
申请日期: 2011-11-28, 公开日期: 2012-11-20
作者: 常虎东; 薛百清; 孙兵; 王盛凯; 卢力
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| 半导体器件及其形成方法 专利
申请日期: 2011-03-31,
作者: 骆志炯; 朱慧珑; 尹海洲
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| 体硅CMOS FinFET结构与特性研究 期刊论文
电子学报, 2005, 卷号: 33, 期号: 8, 页码: 3，1484-1486
作者: 徐秋霞; 殷华湘
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| 绝缘栅控横向场发射晶体管及其驱动方法 专利
专利号: CN201110181695.4, 公开日期: 2013-01-02
作者: 殷华湘; 陈大鹏; 董立军
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