一种MOS场效应晶体管

	一种MOS场效应晶体管
	梁擎擎; 陈大鹏
	2014-03-05
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010102696.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提出一种MOS场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底中的源极和漏极；和形成在所述衬底之上且位于所述源极和所述漏极之间的栅堆叠，其中，栅介质层采用可变K值介质材料。本发明实施例将可变K值介质材料运用于CMOS器件的栅介质层，通过动态地获得高K值的方法增加栅电容，提高CMOS器件控制短沟道效应能力和开关速度。
公开日期	2011-08-03
申请日期	2010-01-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/13070]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	梁擎擎,陈大鹏. 一种MOS场效应晶体管. CN201010102696.0. 2014-03-05.