体硅CMOS FinFET结构与特性研究
徐秋霞; 殷华湘
刊名电子学报
2005
卷号33期号:8页码:3,1484-1486
关键词鱼脊形场效应晶体管 体硅 凹槽器件 新结构 Cmos
ISSN号0372-2112
英文摘要建立在SOI衬底上的FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构.本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上,利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬底对器件短沟道效应的影响,同时获得了一些标准集成电路工艺上的改进空问.运用标准CMOS工艺实际制作的体硅CMOS FinFET器件获得了较好的性能结果并成功地集成到CMOS反相器和环形振荡器中.结构分析与实验结果证明了体硅CMOS FinFET在未来电路中的应用前景.
语种中文
公开日期2010-05-26
内容类型期刊论文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1160]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
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GB/T 7714
徐秋霞,殷华湘. 体硅CMOS FinFET结构与特性研究[J]. 电子学报,2005,33(8):3,1484-1486.
APA 徐秋霞,&殷华湘.(2005).体硅CMOS FinFET结构与特性研究.电子学报,33(8),3,1484-1486.
MLA 徐秋霞,et al."体硅CMOS FinFET结构与特性研究".电子学报 33.8(2005):3,1484-1486.
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